电子元件目前正在迅速向小型化、高速化及多功能化方向发展。电子元器件的组装密度越来越高，因此选择散热特性优良的绝缘基板已成为关键。作为集成电路基板的候选陶瓷材料有氧化铝、氧化铍、碳化硅及氮化铝等，其中氧化铝的应用最为普遍。
氧化铝陶瓷介电损耗低，电性能与温度的关系不大，机械强度高，化学稳定性好，已被广泛应用于基板材料。
氧化铍的最大优点是导热系数高、介电常数较低，但由于其毒性大、价格高而限制了其应用。
碳化硅的导热性优于氧化铝，但烧结困难。
近年来，氮化铝基板由于其得天独厚的优点，已经引起国内外的普遍关注。日本商品化AIN的热传导率已达936kj/m·h·k，是目前普遍使用的氧化铝的10倍，而其他电性能与Al2O3相当。目前氮化铝作为基板使用要解决的是其金属化技术的可靠性、多层布线技术及降低成本等问题。
另外，对用于电容器的陶瓷介质材料要求介电常数高，这对于电容器的小型化是十分关键的。
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